Підсилювач потужності на основі нітриду галію має вищі, порівняно з попереднім поколінням, характеристики. Раніше в аерокосмічній та оборонній промисловості використовувалися підсилювачі LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) — напівпровідники з бічною дифузією на основі оксидів металів.
Нове покоління підсилювачів на основі галій нітриду (GaN) має нижчу робочу температуру, високу потужність і менші розміри.
Пристрій, представлений Comtech PST, має дев’ятиконтактний комбінований роз’єм D для інтерфейсу управління постійним струмом. Працювати він може за температури від -40 до 65 градусів Цельсія, має високий ступінь стійкості до ударів і вібрації.
Новий підсилювач працює на висоті до 3000 м і має дуже компактні розміри: 20×15×5 см. Він важить лише 2.7 кг.
Використовувати його планується в засобах радіоелектронної боротьби з метою створення радіоперешкод, що порушують роботу технічних засобів ворожої армії. Також РЕБ задіюються для боротьби з аналогічним втручанням у роботу власних засобів озброєння.